BUK445-200A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUK445-200A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT186
- Selección de transistores por parámetros
BUK445-200A Datasheet (PDF)
buk445-200a-b 1.pdf

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK445-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic full-pack envelope. BUK445 -200A -200BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 7.6 7 A
buk445-200.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor BUK445-200A/BDESCRIPTIONDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Switched Mode Power Supplies (SMPS),motor control,welding, And in general purpose switchingresistance applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
buk445-60h.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK445-60H GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic full-pack envelope. VDS Drain-source voltage 60 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 22.5 AAutomotive applications, Switched Ptot Total power dissipatio
Otros transistores... BUK436W-200A , BUK436W-200B , BUK436W-800A , BUK436W-800B , BUK438W-800A , BUK438W-800B , BUK444-800A , BUK444-800B , IRF540 , BUK446-1000B , BUK446-800A , BUK446-800B , BUK452-100A , BUK453-100A , BUK454-800A , BUK454-800B , BUK455-100A .
History: ISZ065N03L5S | UF630G-TF2-T | RQ3E150MN | CSD18533KCS | IRLL110TRPBF | 2SK1739 | 16N10
History: ISZ065N03L5S | UF630G-TF2-T | RQ3E150MN | CSD18533KCS | IRLL110TRPBF | 2SK1739 | 16N10



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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