TK40F08K3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK40F08K3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: TO220SM

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TK40F08K3 datasheet

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TK40F08K3

TK40F08K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIV) TK40F08K3 Swiching Regulator, DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 6.5 m (typ.) 10.0 0.3 Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 75 V) 0.4 0.1 9.5 0.2 Enhancement-model Vth = 3.0 to 4.0 V (VDS = 10

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