TK40F08K3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK40F08K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO220SM

Аналог (замена) для TK40F08K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK40F08K3 даташит

 ..1. Size:220K  toshiba
 tk40f08k3.pdf pdf_icon

TK40F08K3

TK40F08K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIV) TK40F08K3 Swiching Regulator, DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 6.5 m (typ.) 10.0 0.3 Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 75 V) 0.4 0.1 9.5 0.2 Enhancement-model Vth = 3.0 to 4.0 V (VDS = 10

Другие IGBT... TK35S04K3L, TK3A60DA, TK3A65DA, TK3A65D, TK3P50D, TK40A08K3, TK40A10J1, TK40A10K3, RFP50N06, TK40J20D, TK40J60T, TK40J60U, TK40M60U, TK40P03M1, TK40P04M1, TK40S10K3Z, TK40X10J1