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BUK446-800A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUK446-800A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SOT186

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BUK446-800A datasheet

 0.1. Size:51K  philips
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BUK446-800A

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK446-800A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic full-pack envelope. BUK446 -800A -800B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 800 800 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 2.0 1.7

 4.1. Size:230K  inchange semiconductor
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BUK446-800A

 7.1. Size:50K  philips
buk446-1000b 1.pdf pdf_icon

BUK446-800A

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK446-1000B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic full-pack envelope. VDS Drain-source voltage 1000 V The device is intended for use in ID Drain current (DC) 1.5 A Switched Mode Power Supplies Ptot Total power dissipation

Otros transistores... BUK436W-800A , BUK436W-800B , BUK438W-800A , BUK438W-800B , BUK444-800A , BUK444-800B , BUK445-200A , BUK446-1000B , 50N06 , BUK446-800B , BUK452-100A , BUK453-100A , BUK454-800A , BUK454-800B , BUK455-100A , BUK455-200A , BUK456-1000B .

History: BUK104-50LP | BUK116-50L | BUK110-50DL | BUK452-100A | BUK116-50S | BUK446-1000B | BUK426-1000B

 

 

 


 
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