BUK446-800A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BUK446-800A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT186

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUK446-800A

BUK446-800A Datasheet (PDF)

0.1. Size:51K philips
buk446-800a-b 1.pdf

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK446-800A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic full-pack envelope. BUK446 -800A -800BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 800 800 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 2.0 1.7

4.1. Size:230K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor BUK446-800A/BDESCRIPTIONDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Switched Mode Power Supplies (SMPS),motor control,welding, And in general purpose switchingresistance applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

7.1. Size:50K philips
buk446-1000b 1.pdf

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK446-1000B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic full-pack envelope. VDS Drain-source voltage 1000 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 1.5 ASwitched Mode Power Supplies Ptot Total power dissipation

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Liste

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