BUK452-100A Todos los transistores

 

BUK452-100A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUK452-100A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT78
 

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BUK452-100A Datasheet (PDF)

 0.1. Size:56K  philips
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BUK452-100A

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK452-100A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK452 -100A -100BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 100 100 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 11 10 A(SMPS),

 4.1. Size:61K  philips
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BUK452-100A

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK452-100A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK452 -100A -100BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 100 100 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 11 10 A(SMPS),

 4.2. Size:228K  inchange semiconductor
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BUK452-100A

isc N-Channel MOSFET Transistor BUK452-100A/BDESCRIPTIONDrain Source Voltage-: V =100V(Min)DSSLow RDS(ON)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Switched Mode Power Supplies (SMPS),motor control,welding, and in general purpose switchingresistance applicationABSOLUTE MAXIMU

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