TK5A45DA MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

TK5A45DA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK5A45DA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.75 Ohm

Encapsulados: TO220SIS

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TK5A45DA datasheet

..1. Size:228K toshiba
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TK5A45DA MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK5A45DA TK5A45DA TK5A45DA TK5A45DA 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.52 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 1.5 S (typ.) (3) Low leakage current ID

..2. Size:252K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK5A45DA ITK5A45DA FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) = 1.52 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.4 to 4.4V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

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