TK5A45DA Todos los transistores

 

TK5A45DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK5A45DA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SIS
 

 Búsqueda de reemplazo de TK5A45DA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK5A45DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  toshiba
 tk5a45da.pdf pdf_icon

TK5A45DA

TK5A45DAMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK5A45DATK5A45DATK5A45DATK5A45DA1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.52 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.5 S (typ.)(3) Low leakage current: ID

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk5a45da.pdf pdf_icon

TK5A45DA

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK5A45DAITK5A45DAFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) = 1.52 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.4 to 4.4V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATIN

Otros transistores... TK4P60DA , TK4P60DB , TK50J30D , TK50J60U , TK50P03M1 , TK50P04M1 , TK50X15J1 , TK55A10J1 , HY1906P , TK5A50D , TK5A53D , TK5A55D , TK5A60D , TK5A65DA , TK5A65D , TK5P50D , TK5P53D .

 

 
Back to Top

 


 
.