TK5A45DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK5A45DA
   Código: K5A45DA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SIS

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK5A45DA

TK5A45DA Datasheet (PDF)

..1. Size:228K toshiba
tk5a45da.pdf

TK5A45DAMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK5A45DATK5A45DATK5A45DATK5A45DA1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.52 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.5 S (typ.)(3) Low leakage current: ID

..2. Size:252K inchange semiconductor
tk5a45da.pdf

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK5A45DAITK5A45DAFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) = 1.52 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.4 to 4.4V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATIN

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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