TK5A45DA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK5A45DA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.75 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK5A45DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK5A45DA даташит

 ..1. Size:228K  toshiba
 tk5a45da.pdf pdf_icon

TK5A45DA

TK5A45DA MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK5A45DA TK5A45DA TK5A45DA TK5A45DA 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.52 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 1.5 S (typ.) (3) Low leakage current ID

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk5a45da.pdf pdf_icon

TK5A45DA

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK5A45DA ITK5A45DA FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) = 1.52 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.4 to 4.4V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

Другие IGBT... TK4P60DA, TK4P60DB, TK50J30D, TK50J60U, TK50P03M1, TK50P04M1, TK50X15J1, TK55A10J1, AOD4184A, TK5A50D, TK5A53D, TK5A55D, TK5A60D, TK5A65DA, TK5A65D, TK5P50D, TK5P53D