TK5P53D Todos los transistores

 

TK5P53D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK5P53D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 80 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 525 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.4 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK5P53D

 

TK5P53D Datasheet (PDF)

1.1. tk5p53d.pdf Size:209K _toshiba

TK5P53D
TK5P53D

TK5P53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) TK5P53D Switching Regulator Applications Unit: mm • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.2 Ω (typ.) 6.6 ± 0.2 5.34 ± 0.13 0.58MAX • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 2.8 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 525 V) • Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.

5.1. tk5p50d.pdf Size:209K _toshiba

TK5P53D
TK5P53D

TK5P50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) TK5P50D Switching Regulator Applications Unit: mm • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.3 Ω (typ.) 6.6 ± 0.2 5.34 ± 0.13 0.58MAX • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 3.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 500 V) • Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4

Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top

 


TK5P53D
  TK5P53D
  TK5P53D
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: IRFU430A | IRFSL7787 | IRFSL7762 | IRFSL4510 | IRFP4905 | IRFP3207Z | IRFL3713S | IPI80CN10N | IPI600N25N3 | IPI530N15N3 | IPI35CN10N | IPI320N20N3 | IPI26CN10N | IPI200N25N3 | IPI200N15N3 |

 

 

 
Back to Top