TK5P53D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK5P53D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 525 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: DPAK

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de TK5P53D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TK5P53D datasheet

 ..1. Size:209K  toshiba
 tk5p53d.pdf pdf_icon

TK5P53D

TK5P53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK5P53D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.2 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance Yfs = 2.8 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement-mode Vth = 2.4 to 4.

 9.1. Size:209K  toshiba
 tk5p50d.pdf pdf_icon

TK5P53D

TK5P50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK5P50D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.3 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance Yfs = 3.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode Vth = 2.4 to 4

Otros transistores... TK5A45DA, TK5A50D, TK5A53D, TK5A55D, TK5A60D, TK5A65DA, TK5A65D, TK5P50D, IRF840, TK60A08J1, TK60J25D, TK60P03M1, TK60S06K3L, TK65L60V, TK65S04K3L, TK6A45DA, TK6A50D