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TK5P53D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK5P53D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 525 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK5P53D

 

Principales características: TK5P53D

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TK5P53D

TK5P53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK5P53D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.2 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance Yfs = 2.8 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement-mode Vth = 2.4 to 4.

 9.1. Size:209K  toshiba
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TK5P53D

TK5P50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK5P50D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.3 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance Yfs = 3.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode Vth = 2.4 to 4

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History: IRFF9133 | IRFE110 | IRF7509

 

 
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