TK5P53D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK5P53D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 525 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de TK5P53D MOSFET
TK5P53D PDF Specs
tk5p53d.pdf
TK5P53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK5P53D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.2 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance Yfs = 2.8 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement-mode Vth = 2.4 to 4.... See More ⇒
tk5p50d.pdf
TK5P50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK5P50D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.3 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance Yfs = 3.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode Vth = 2.4 to 4... See More ⇒
Otros transistores... TK5A45DA , TK5A50D , TK5A53D , TK5A55D , TK5A60D , TK5A65DA , TK5A65D , TK5P50D , IRF740 , TK60A08J1 , TK60J25D , TK60P03M1 , TK60S06K3L , TK65L60V , TK65S04K3L , TK6A45DA , TK6A50D .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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