Справочник MOSFET. TK5P53D

 

TK5P53D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK5P53D
   Маркировка: K5P53D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 525 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для TK5P53D

 

 

TK5P53D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  toshiba
 tk5p53d.pdf

TK5P53D TK5P53D

TK5P53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK5P53D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.2 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 2.8 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.

 9.1. Size:209K  toshiba
 tk5p50d.pdf

TK5P53D TK5P53D

TK5P50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK5P50D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.3 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 3.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top