TK5P53D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TK5P53D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 525 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для TK5P53D
TK5P53D Datasheet (PDF)
tk5p53d.pdf

TK5P53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK5P53D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.2 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 2.8 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.
tk5p50d.pdf

TK5P50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK5P50D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.3 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 3.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4
Другие MOSFET... TK5A45DA , TK5A50D , TK5A53D , TK5A55D , TK5A60D , TK5A65DA , TK5A65D , TK5P50D , IRF740 , TK60A08J1 , TK60J25D , TK60P03M1 , TK60S06K3L , TK65L60V , TK65S04K3L , TK6A45DA , TK6A50D .
History: ZXMP3F37N8
History: ZXMP3F37N8
 
 
 
 
 
 
 
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM30P85D | AGM30P55D1 | AGM30P55D | AGM30P55A | AGM30P35S | AGM30P35M | AGM30P35D | AGM30P35AP | AGM30P25S | AGM30P25MBQ | AGM30P25MBP | AGM30P25M | AGM30P25D | AGM30P25AP | AGM30P20S | AGM12T08C
 
 
Popular searches
2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet



