TK60S06K3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK60S06K3L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de TK60S06K3L MOSFET
TK60S06K3L Datasheet (PDF)
tk60s06k3l.pdf

TK60S06K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK60S06K3LTK60S06K3LTK60S06K3LTK60S06K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current
Otros transistores... TK5A60D , TK5A65DA , TK5A65D , TK5P50D , TK5P53D , TK60A08J1 , TK60J25D , TK60P03M1 , IRF540N , TK65L60V , TK65S04K3L , TK6A45DA , TK6A50D , TK6A53D , TK6A55DA , TK6A60D , TK6A65D .
History: IPI120N08S4-04 | SSF4N60F | WML28N50C4 | SM1F04NSF | SI4431CDY-T1-E3 | NCE3415 | SW4N60B
History: IPI120N08S4-04 | SSF4N60F | WML28N50C4 | SM1F04NSF | SI4431CDY-T1-E3 | NCE3415 | SW4N60B



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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