TK60S06K3L Todos los transistores

 

TK60S06K3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK60S06K3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK60S06K3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  toshiba
 tk60s06k3l.pdf pdf_icon

TK60S06K3L

TK60S06K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK60S06K3LTK60S06K3LTK60S06K3LTK60S06K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current

Otros transistores... TK5A60D , TK5A65DA , TK5A65D , TK5P50D , TK5P53D , TK60A08J1 , TK60J25D , TK60P03M1 , IRF540N , TK65L60V , TK65S04K3L , TK6A45DA , TK6A50D , TK6A53D , TK6A55DA , TK6A60D , TK6A65D .

History: DCC016M120G2

 

 
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