Справочник MOSFET. TK60S06K3L

 

TK60S06K3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK60S06K3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK60S06K3L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK60S06K3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  toshiba
 tk60s06k3l.pdf pdf_icon

TK60S06K3L

TK60S06K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK60S06K3LTK60S06K3LTK60S06K3LTK60S06K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current

Другие MOSFET... TK5A60D , TK5A65DA , TK5A65D , TK5P50D , TK5P53D , TK60A08J1 , TK60J25D , TK60P03M1 , IRF540N , TK65L60V , TK65S04K3L , TK6A45DA , TK6A50D , TK6A53D , TK6A55DA , TK6A60D , TK6A65D .

History: ISCD3NK80Z | KIA20N50H-3P | PTW09N90 | BLV640 | ST2318SRG | STP270N04

 

 
Back to Top

 


 
.