TK60S06K3L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK60S06K3L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK60S06K3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK60S06K3L даташит

 ..1. Size:242K  toshiba
 tk60s06k3l.pdf pdf_icon

TK60S06K3L

TK60S06K3L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK60S06K3L TK60S06K3L TK60S06K3L TK60S06K3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 6.4 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current

Другие IGBT... TK5A60D, TK5A65DA, TK5A65D, TK5P50D, TK5P53D, TK60A08J1, TK60J25D, TK60P03M1, IRF540, TK65L60V, TK65S04K3L, TK6A45DA, TK6A50D, TK6A53D, TK6A55DA, TK6A60D, TK6A65D