TK70J04J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK70J04J3
   Código: K70J04J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 210 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC65 TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK70J04J3

TK70J04J3 Datasheet (PDF)

..1. Size:195K toshiba
tk70j04j3.pdf

TK70J04J3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) TK70J04J3 Motor Drive Application Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 3.0 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 120 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 40 V) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maximum Ra

7.1. Size:239K toshiba
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TK70J04K3ZMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TK70J04K3ZTK70J04K3ZTK70J04K3ZTK70J04K3Z1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.2 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current:

8.1. Size:225K toshiba
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TK70J06K3MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TK70J06K3TK70J06K3TK70J06K3TK70J06K31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.8 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS

9.1. Size:226K toshiba
tk70j20d.pdf

TK70J20DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK70J20DTK70J20DTK70J20DTK70J20D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.02 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 200 V)(3) Enhancement mode: Vth =

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Liste

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