TK70J04J3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TK70J04J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1350 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
Аналог (замена) для TK70J04J3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TK70J04J3 даташит
tk70j04j3.pdf
TK70J04J3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) TK70J04J3 Motor Drive Application Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 3.0 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 120 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 40 V) Enhancement mode Vth = 1.5 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maximum Ra
tk70j04k3z.pdf
TK70J04K3Z MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK70J04K3Z TK70J04K3Z TK70J04K3Z TK70J04K3Z 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 3.2 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current
tk70j06k3.pdf
TK70J06K3 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK70J06K3 TK70J06K3 TK70J06K3 TK70J06K3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.8 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS
tk70j20d.pdf
TK70J20D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK70J20D TK70J20D TK70J20D TK70J20D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.02 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 200 V) (3) Enhancement mode Vth =
Другие IGBT... TK6A45DA, TK6A50D, TK6A53D, TK6A55DA, TK6A60D, TK6A65D, TK6P53D, TK70A06J1, IRFB4227, TK70J20D, TK70X04K3, TK70X06K3, TK75A06K3, TK7A45DA, TK7A50D, TK7A55D, TK7A65D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor




