TK70X04K3 Todos los transistores

 

TK70X04K3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK70X04K3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC97 TFP
     - Selección de transistores por parámetros

 

TK70X04K3 Datasheet (PDF)

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TK70X04K3

TK70X04K3MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK70X04K3TK70X04K3TK70X04K3TK70X04K31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.7 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDS

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TK70X04K3

TK70X06K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) TK70X06K3 Load switch Applications Unit: mmMotor Drive Applications 9.2 MAX. 7.0 0.2 0.4 0.1 4 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 6.5 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 120 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) Enhance

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History: AM2336N-T1 | SMOS44N80

 

 
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