TK70X04K3 - аналоги и даташиты транзистора

 

TK70X04K3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK70X04K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: SC97 TFP
 

 Аналог (замена) для TK70X04K3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK70X04K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  toshiba
 tk70x04k3.pdf pdf_icon

TK70X04K3

TK70X04K3MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK70X04K3TK70X04K3TK70X04K3TK70X04K31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.7 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDS

 8.1. Size:192K  toshiba
 tk70x06k3.pdf pdf_icon

TK70X04K3

TK70X06K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) TK70X06K3 Load switch Applications Unit: mmMotor Drive Applications 9.2 MAX. 7.0 0.2 0.4 0.1 4 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 6.5 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 120 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) Enhance

Другие MOSFET... TK6A53D , TK6A55DA , TK6A60D , TK6A65D , TK6P53D , TK70A06J1 , TK70J04J3 , TK70J20D , 10N60 , TK70X06K3 , TK75A06K3 , TK7A45DA , TK7A50D , TK7A55D , TK7A65D , TK7P50D , TK80A08K3 .

History: INK0010AM1 | QS6K1 | TSM2NB60CZ | TSM2NB60CH | STP36N55M5 | INJ0312AC1 | INJ0001AC1

 

 
Back to Top

 


 
.