TK70X06K3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK70X06K3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: SC97 TFP

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TK70X06K3 datasheet

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TK70X06K3

TK70X06K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) TK70X06K3 Load switch Applications Unit mm Motor Drive Applications 9.2 MAX. 7.0 0.2 0.4 0.1 4 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 6.5 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 120 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) Enhance

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TK70X06K3

TK70X04K3 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK70X04K3 TK70X04K3 TK70X04K3 TK70X04K3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 3.7 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDS

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