Справочник MOSFET. TK70X06K3

 

TK70X06K3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK70X06K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: SC97 TFP

 Аналог (замена) для TK70X06K3

 

 

TK70X06K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  toshiba
 tk70x06k3.pdf

TK70X06K3 TK70X06K3

TK70X06K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) TK70X06K3 Load switch Applications Unit: mmMotor Drive Applications 9.2 MAX. 7.0 0.2 0.4 0.1 4 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 6.5 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 120 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) Enhance

 8.1. Size:222K  toshiba
 tk70x04k3.pdf

TK70X06K3 TK70X06K3

TK70X04K3MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK70X04K3TK70X04K3TK70X04K3TK70X04K31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.7 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDS

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top