TK7A50D Todos los transistores

 

TK7A50D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK7A50D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SIS

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TK7A50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  toshiba
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TK7A50D TK7A50D

TK7A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK7A50D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Abs

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
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TK7A50D TK7A50D

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK7A50DITK7A50DFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 1.0 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.4 to 4.4V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 9.1. Size:209K  toshiba
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TK7A50D TK7A50D

TK7A55D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK7A55D Switching Regulator Applications Unit: mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 3.6 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement-mode: Vt

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