TK7A50D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK7A50D
Código: K7A50D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 35 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.4 V
Carga de la puerta (Qg): 12 nC
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.22 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220SIS
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TK7A50D Datasheet (PDF)
tk7a50d.pdf
TK7A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK7A50D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Abs
tk7a50d.pdf
INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK7A50DITK7A50DFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 1.0 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.4 to 4.4V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
tk7a55d.pdf
TK7A55D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK7A55D Switching Regulator Applications Unit: mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 3.6 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement-mode: Vt
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Liste
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