TK7A55D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK7A55D
   Código: K7A55D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 35 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 550 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.4 V
   Carga de la puerta (Qg): 16 nC
   Tiempo de subida (tr): 20 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SIS

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK7A55D

TK7A55D Datasheet (PDF)

..1. Size:209K toshiba
tk7a55d.pdf

TK7A55D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK7A55D Switching Regulator Applications Unit: mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 3.6 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement-mode: Vt

9.1. Size:175K toshiba
tk7a50d.pdf

TK7A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK7A50D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Abs

9.2. Size:252K inchange semiconductor
tk7a50d.pdf

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK7A50DITK7A50DFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 1.0 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.4 to 4.4V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

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Liste

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