TK7A55D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK7A55D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 550 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm

Encapsulados: TO220SIS

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TK7A55D datasheet

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TK7A55D

TK7A55D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK7A55D Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 3.6 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement-mode Vt

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TK7A55D

TK7A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK7A50D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Abs

 9.2. Size:252K  inchange semiconductor
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TK7A55D

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK7A50D ITK7A50D FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.0 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.4 to 4.4V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Otros transistores... TK70A06J1, TK70J04J3, TK70J20D, TK70X04K3, TK70X06K3, TK75A06K3, TK7A45DA, TK7A50D, 8205A, TK7A65D, TK7P50D, TK80A08K3, TK80E06K3A, TK80F08K3, TK80S04K3L, TK80S06K3L, TK80X04K3