TK80X04K3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK80X04K3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: SC97 TFP

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TK80X04K3 datasheet

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TK80X04K3

TK80X04K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) TK80X04K3 Switching Regulator, DC-DC Converter Applications Unit mm Motor Drive Applications 9.2 MAX. 7.0 0.2 0.4 0.1 4 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 2.7 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 150 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (

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