TK80X04K3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK80X04K3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC97 TFP

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TK80X04K3 Datasheet (PDF)

..1. Size:188K toshiba
tk80x04k3.pdf

TK80X04K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) TK80X04K3 Switching Regulator, DC-DC Converter Applications Unit: mmMotor Drive Applications 9.2 MAX. 7.0 0.2 0.4 0.1 4 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 2.7 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 150 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: