TK80X04K3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK80X04K3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: SC97 TFP
TK80X04K3 Datasheet (PDF)
tk80x04k3.pdf
TK80X04K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) TK80X04K3 Switching Regulator, DC-DC Converter Applications Unit: mmMotor Drive Applications 9.2 MAX. 7.0 0.2 0.4 0.1 4 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 2.7 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 150 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918