TK80X04K3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK80X04K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: SC97 TFP

Аналог (замена) для TK80X04K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK80X04K3 даташит

 ..1. Size:188K  toshiba
 tk80x04k3.pdf pdf_icon

TK80X04K3

TK80X04K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) TK80X04K3 Switching Regulator, DC-DC Converter Applications Unit mm Motor Drive Applications 9.2 MAX. 7.0 0.2 0.4 0.1 4 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 2.7 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 150 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (

Другие IGBT... TK7A55D, TK7A65D, TK7P50D, TK80A08K3, TK80E06K3A, TK80F08K3, TK80S04K3L, TK80S06K3L, 2N7002, TK8A10K3, TK8A25DA, TK8A45DA, TK8A45D, TK8A50DA, TK8A50D, TK8A55DA, TK8A60DA