BUK455-200A Todos los transistores

 

BUK455-200A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUK455-200A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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BUK455-200A datasheet

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BUK455-200A

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK455-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK455 -200A -200B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 14 13 A (SMPS),

 4.1. Size:53K  philips
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BUK455-200A

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK455-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK455 -200A -200B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 14 13 A (SMPS),

 4.2. Size:228K  inchange semiconductor
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BUK455-200A

isc N-Channel MOSFET Transistor BUK455-200A/B DESCRIPTION Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Low R DS(ON) Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control,welding, and in general purpose switching resistance application ABSOLUTE MAXIMU

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