BUK455-200A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUK455-200A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 14 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 35 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 190 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.23 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUK455-200A

BUK455-200A Datasheet (PDF)

1.1. buk455-200b.pdf Size:53K _update_mosfet

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK455-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK455 -200A -200B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 14 13 A (SMPS),

1.2. buk455-200a-b 1.pdf Size:54K _philips

1.3. buk455-200.pdf Size:228K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor BUK455-200A/B DESCRIPTION ·Drain Source Voltage- : V =200V(Min) DSS ·Low R DS(ON) ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control,welding, and in general purpose switching resistance application ABSOLUTE MAXIMU

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Liste

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