TPC8061-H MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

TPC8061-H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPC8061-H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: SOP8

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TPC8061-H datasheet

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TPC8066-H MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS -H) TPC8066-H TPC8066-H TPC8066-H TPC8066-H 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) High-speed switching (3) Small gate charge QSW = 3.2 nC (typ.) (4) Lo

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TPC8064-H MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS -H) TPC8064-H TPC8064-H TPC8064-H TPC8064-H 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) High-speed switching (3) Small gate charge QSW = 5.0 nC (typ.) (4) Lo

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TPC8067-H MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS -H) TPC8067-H TPC8067-H TPC8067-H TPC8067-H 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) High-speed switching (3) Small gate charge QSW = 1.9 nC (typ.) (4) Lo

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