TPC8061-H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TPC8061-H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
TPC8061-H Datasheet (PDF)
tpc8061-h.pdf

TPC8061-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS-H) TPC8061-H High Efficiency DC-DC Converter Applications Unit: mmNotebook PC Applications Portable Equipment Applications Small footprint due to a small and thin package High-speed switching Small gate charge: QSW = 3.5 nC (typ.) Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 21 m
tpc8066-h.pdf

TPC8066-HMOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TPC8066-HTPC8066-HTPC8066-HTPC8066-H1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) High-speed switching(3) Small gate charge: QSW = 3.2 nC (typ.)(4) Lo
tpc8064-h.pdf

TPC8064-HMOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TPC8064-HTPC8064-HTPC8064-HTPC8064-H1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) High-speed switching(3) Small gate charge: QSW = 5.0 nC (typ.)(4) Lo
tpc8067-h.pdf

TPC8067-HMOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TPC8067-HTPC8067-HTPC8067-HTPC8067-H1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) High-speed switching(3) Small gate charge: QSW = 1.9 nC (typ.)(4) Lo
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SRT10N160LD56 | 2SK3430-ZJ | APT6010LLLG | R6535KNZ1 | FMC16N60ES | SI2319 | VSE002N03MS-G
History: SRT10N160LD56 | 2SK3430-ZJ | APT6010LLLG | R6535KNZ1 | FMC16N60ES | SI2319 | VSE002N03MS-G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent