2SJ377 Todos los transistores

 

2SJ377 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ377

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 20 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Carga de compuerta (Qg): 22 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.19 Ohm

Empaquetado / Estuche: SC64

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SJ377

 

2SJ377 Datasheet (PDF)

1.1. 2sj377.pdf Size:415K _toshiba

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2SJ377 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L -?-MOSV) 2SJ377 Relay Drive, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.16 ? (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -100 µA (max) (V = -60 V) DS Enhancement-mode

5.1. 2sj378.pdf Size:417K _toshiba

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2SJ378 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L -?-MOSV) 2SJ378 Relay Drive, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.16 ? (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -100 µA (max) (V = -60 V) DS Enhancement-mode

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Liste

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