2SJ377 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ377  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: SC64

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2SJ377 datasheet

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2SJ377

2SJ377 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L - -MOSV) 2SJ377 Relay Drive, DC-DC Converter and Motor Drive Unit mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance R = 0.16 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = -100 A (max) (V = -60 V) DS Enhancement-mo

 ..2. Size:831K  cn vbsemi
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2SJ377

2SJ377 www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.061 at VGS = - 10 V - 30 APPLICATIONS - 60 10 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter Symbol

 9.1. Size:417K  toshiba
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2SJ377

2SJ378 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L - -MOSV) 2SJ378 Relay Drive, DC-DC Converter and Motor Drive Unit mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance R = 0.16 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = -100 A (max) (V = -60 V) DS Enhancement-mo

 9.2. Size:329K  shenzhen
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2SJ377

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