2SJ377 Todos los transistores

 

2SJ377 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ377
   Código: J377
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC64
 

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2SJ377 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  toshiba
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2SJ377

2SJ377 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L --MOSV) 2SJ377 Relay Drive, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.16 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -100 A (max) (V = -60 V) DS Enhancement-mo

 ..2. Size:831K  cn vbsemi
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2SJ377

2SJ377www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Symbol

 9.1. Size:417K  toshiba
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2SJ377

2SJ378 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L --MOSV) 2SJ378 Relay Drive, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.16 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -100 A (max) (V = -60 V) DS Enhancement-mo

 9.2. Size:329K  shenzhen
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History: PHD9NQ20T | FHU2N60A | LNC06R230

 

 
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