2SJ438 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SJ438
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220NIS
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SJ438
2SJ438 Datasheet (PDF)
2sj438.pdf
2SJ438 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2--MOSV) 2SJ438 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.16 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -100 A (max) (V = -60 V) DS Enhancement-mode
2sj439.pdf
2SJ439 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (-MOSV) 2SJ439 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit: mm Applications 2.5 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.18 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 6.0 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -100 A (max) (V = -16 V) DS Enhancement-mode :
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: AP9923GEO-HF
History: AP9923GEO-HF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918