2SJ438 Todos los transistores

 

2SJ438 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ438
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220NIS
 

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2SJ438 Datasheet (PDF)

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2SJ438

2SJ438 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2--MOSV) 2SJ438 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.16 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -100 A (max) (V = -60 V) DS Enhancement-mode

 9.1. Size:388K  toshiba
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2SJ438

2SJ439 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (-MOSV) 2SJ439 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit: mm Applications 2.5 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.18 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 6.0 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -100 A (max) (V = -16 V) DS Enhancement-mode :

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History: MDP1932TH | SD214 | IRF5305S | IRF3515S | CEM2281 | SPD04N60C3 | QM06N65F

 

 
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