2SJ439 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ439  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 16 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: SC64

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2SJ439 datasheet

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2SJ439

2SJ439 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type ( -MOSV) 2SJ439 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit mm Applications 2.5 V gate drive Low drain-source ON resistance R = 0.18 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 6.0 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = -100 A (max) (V = -16 V) DS Enhancement-mode

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2SJ439

2SJ438 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2- -MOSV) 2SJ438 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance R = 0.16 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = -100 A (max) (V = -60 V) DS Enhancement-mode

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