2SJ439 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ439

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 20 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 16 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: SC64

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SJ439

2SJ439 Datasheet (PDF)

1.1. 2sj439.pdf Size:388K _toshiba

2SJ439 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (?-MOSV) 2SJ439 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit: mm Applications 2.5 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.18 ? (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 6.0 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -100 µA (max) (V = -16 V) DS Enhancement-mode : V

5.1. 2sj438.pdf Size:415K _toshiba

2SJ438 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2-?-MOSV) 2SJ438 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.16 ? (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -100 µA (max) (V = -60 V) DS Enhancement-mode :

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: