Справочник MOSFET. 2SJ439

 

2SJ439 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SJ439
   Маркировка: J439
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SC64

 Аналог (замена) для 2SJ439

 

 

2SJ439 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:388K  toshiba
 2sj439.pdf

2SJ439 2SJ439

2SJ439 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (-MOSV) 2SJ439 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit: mm Applications 2.5 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.18 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 6.0 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -100 A (max) (V = -16 V) DS Enhancement-mode :

 9.1. Size:415K  toshiba
 2sj438.pdf

2SJ439 2SJ439

2SJ438 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2--MOSV) 2SJ438 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.16 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -100 A (max) (V = -60 V) DS Enhancement-mode

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top