2SK1119 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1119  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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2SK1119 datasheet

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2SK1119

2SK1119 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSII.5) 2SK1119 DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 3.0 (typ.) High forward transfer admittance Y = 2.0 S (typ.) fs Low leakage current I = 300 A (max) (V = 800 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 1.5 3.5 V (V = 10 V, I = 1

 ..2. Size:262K  inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1119 FEATURES Drain Current I = 4.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 1000V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.8 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

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Free Datasheet http //www.datasheet4u.com/ Free Datasheet http //www.datasheet4u.com/

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