2SK1120 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1120

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 1000 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 120 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.8 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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2SK1120 Datasheet (PDF)

1.1. 2sk1120.pdf Size:454K _toshiba

2SK1120 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (?-MOSII.5) 2SK1120 DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 1.5 ? (typ.) High forward transfer admittance : |Y | 4.0 S (typ.) fs = Low leakage current : I = 300 µA (max) (V = 800 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 1.5~3.5 V (V = 10 V, I = 1 mA)

4.1. 2sk1124.pdf Size:54K _update