2SK1120 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK1120
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
Тип корпуса: TO3P
2SK1120 Datasheet (PDF)
2sk1120.pdf

2SK1120 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSII.5) 2SK1120 DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 1.5 (typ.) High forward transfer admittance : |Y | 4.0 S (typ.) fs = Low leakage current : I = 300 A (max) (V = 800 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 1.5~3.5 V (V = 10 V, I = 1
2sk1120.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1120FEATURESDrain Current I = 8.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 1000V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.8(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
Другие MOSFET... 2SJ516 , 2SJ525 , 2SJ618 , 2SJ619 , 2SJ620 , 2SJ669 , 2SJ676 , 2SK1119 , IRFZ24N , 2SK1381 , 2SK1382 , 2SK1486 , 2SK1529 , 2SK1530 , 2SK1544 , 2SK1930 , 2SK2013 .
History: IPC100N04S5L-1R5
History: IPC100N04S5L-1R5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent