2SK1120 - аналоги и даташиты транзистора

 

2SK1120 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SK1120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:454K  toshiba
 2sk1120.pdf pdf_icon

2SK1120

2SK1120 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSII.5) 2SK1120 DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 1.5 (typ.) High forward transfer admittance : |Y | 4.0 S (typ.) fs = Low leakage current : I = 300 A (max) (V = 800 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 1.5~3.5 V (V = 10 V, I = 1

 ..2. Size:259K  inchange semiconductor
 2sk1120.pdf pdf_icon

2SK1120

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1120FEATURESDrain Current I = 8.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 1000V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.8(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 8.1. Size:54K  toshiba
 2sk1124.pdf pdf_icon

2SK1120

 8.2. Size:380K  nec
 2sk1122.pdf pdf_icon

2SK1120

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SJ516 , 2SJ525 , 2SJ618 , 2SJ619 , 2SJ620 , 2SJ669 , 2SJ676 , 2SK1119 , IRFZ24N , 2SK1381 , 2SK1382 , 2SK1486 , 2SK1529 , 2SK1530 , 2SK1544 , 2SK1930 , 2SK2013 .

History: IPC100N04S5L-1R5

 

 
Back to Top

 


 
.