2SK2545 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK2545
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm
Encapsulados: TO220NIS
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2SK2545 datasheet
2sk2545.pdf
2SK2545 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK2545 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.9 (typ.) High forward transfer admittance Y = 5.5 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 600 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 2.0 4.0 V (V = 10
2sk2544.pdf
2SK2544 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK2544 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.9 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 5.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute M
2sk2549.pdf
2SK2549 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK2549 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit mm 2.5 V gate drive Low drain-source ON resistance R = 0.29 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 3.0 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = 100 A (max) (V = 16 V) DS Enhancement-mode V
Otros transistores... 2SK2466 , 2SK2467 , 2SK2493 , 2SK2507 , 2SK2508 , 2SK2542 , 2SK2543 , 2SK2544 , AO4468 , 2SK2549 , 2SK2598 , 2SK2599 , 2SK2603 , 2SK2604 , 2SK2605 , 2SK2608 , 2SK2610 .
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Liste
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