2SK2782 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK2782
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Encapsulados: SC64
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2SK2782 datasheet
2sk2782.pdf
2SK2782 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L - -MOSV) 2SK2782 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm 4 V gate drive Low drain-source ON resistance R = 0.039 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 11 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = 100 A (max) (V = 60 V) DS Enhancemen
2sk2789.pdf
2SK2789 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L - -MOSV) 2SK2789 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm 4 V gate drive Low drain-source ON resistance R = 66 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 16 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = 100 A (max) (V = 100 V) DS Enhancement
r07ds0511ej 2sk2788.pdf
Preliminary Datasheet 2SK2788 R07DS0511EJ0300 (Previous REJ03G1033-0200) Silicon N Channel MOS FET Rev.3.00 High Speed Power Switching Jul 27, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.12 typ (VGS = 10 V, ID = 1 A) Low drive current High speed switching 4 V gate drive devices. Outline RENESAS Package code PLZZ0004CA-A (Package name UPAK) D 1
2sk2788.pdf
2SK2788 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1033-0200 (Previous ADE-208-538) Rev.2.00 Sep.07,2005 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.12 typ (VGS = 10 V, ID = 1 A) Low drive current High speed switching 4 V gate drive devices. Outline RENESAS Package code PLZZ0004CA-A (Package name UPAK R ) D 1 2 1. Gate 3 2. Dra
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