Справочник MOSFET. 2SK2782

 

2SK2782 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK2782
   Маркировка: K2782
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SC64

 Аналог (замена) для 2SK2782

 

 

2SK2782 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:418K  toshiba
 2sk2782.pdf

2SK2782 2SK2782

2SK2782 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L --MOSV) 2SK2782 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.039 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 11 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (V = 60 V) DS Enhancemen

 8.1. Size:428K  toshiba
 2sk2789.pdf

2SK2782 2SK2782

2SK2789 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L --MOSV) 2SK2789 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 66 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 16 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (V = 100 V) DS Enhancement

 8.2. Size:76K  renesas
 r07ds0511ej 2sk2788.pdf

2SK2782 2SK2782

Preliminary Datasheet 2SK2788 R07DS0511EJ0300(Previous: REJ03G1033-0200)Silicon N Channel MOS FET Rev.3.00High Speed Power Switching Jul 27, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 0.12 typ (VGS = 10 V, ID = 1 A) Low drive current High speed switching 4 V gate drive devices. Outline RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A(Package name: UPAK) D1

 8.3. Size:78K  renesas
 2sk2788.pdf

2SK2782 2SK2782

2SK2788 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1033-0200 (Previous: ADE-208-538) Rev.2.00 Sep.07,2005 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.12 typ (VGS = 10 V, ID = 1 A) Low drive current High speed switching 4 V gate drive devices. Outline RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A(Package name: UPAK R )D12 1. Gate32. Dra

 8.4. Size:36K  nec
 2sk277 2sk278.pdf

2SK2782 2SK2782

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top