TJ120F06J3 Todos los transistores

 

TJ120F06J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TJ120F06J3
   Código: J120F06J
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 258 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SM
 

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TJ120F06J3 Datasheet (PDF)

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TJ120F06J3

TJ120F06J3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS) TJ120F06J3 Chopper Regulator, DC-DC Converter Applications Unit: mmMotor Drive Applications 10.0 0.3 0.4 0.19.5 0.2 Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 5.5 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 110 S (typ.) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (

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History: BUZ323 | SFF75N10B

 

 
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