TJ120F06J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TJ120F06J3
Código: J120F06J
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 258 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1520 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220SM
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TJ120F06J3
TJ120F06J3 Datasheet (PDF)
tj120f06j3.pdf
TJ120F06J3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS) TJ120F06J3 Chopper Regulator, DC-DC Converter Applications Unit: mmMotor Drive Applications 10.0 0.3 0.4 0.19.5 0.2 Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 5.5 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 110 S (typ.) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (
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