Справочник MOSFET. TJ120F06J3

 

TJ120F06J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TJ120F06J3
   Маркировка: J120F06J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 258 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220SM

 Аналог (замена) для TJ120F06J3

 

 

TJ120F06J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  toshiba
 tj120f06j3.pdf

TJ120F06J3 TJ120F06J3

TJ120F06J3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS) TJ120F06J3 Chopper Regulator, DC-DC Converter Applications Unit: mmMotor Drive Applications 10.0 0.3 0.4 0.19.5 0.2 Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 5.5 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 110 S (typ.) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top