Справочник MOSFET. TJ120F06J3

 

TJ120F06J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TJ120F06J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220SM
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ120F06J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  toshiba
 tj120f06j3.pdf pdf_icon

TJ120F06J3

TJ120F06J3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS) TJ120F06J3 Chopper Regulator, DC-DC Converter Applications Unit: mmMotor Drive Applications 10.0 0.3 0.4 0.19.5 0.2 Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 5.5 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 110 S (typ.) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (

Другие MOSFET... 2SK4106 , 2SK4107 , 2SK4108 , 2SK4110 , 2SK4111 , 2SK4112 , 2SK4113 , 2SK4114 , IRFP250 , TK07H90A , TK09H90A , TK100F04K3L , TK12D60U , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.