TK13H90A1 Todos los transistores

 

TK13H90A1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK13H90A1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

TK13H90A1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  toshiba
 tk13h90a1.pdf pdf_icon

TK13H90A1

TK13H90A1 www.DataSheet4U.com TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type(MACH -MOSIV) TK13H90A1 Swiching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.78 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 11S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 720V) Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BLF6G27-100 | SMC3407 | HCFL60R190

 

 
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