TK13H90A1 Todos los transistores

 

TK13H90A1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK13H90A1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

 Búsqueda de reemplazo de TK13H90A1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK13H90A1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  toshiba
 tk13h90a1.pdf pdf_icon

TK13H90A1

TK13H90A1 www.DataSheet4U.com TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type(MACH -MOSIV) TK13H90A1 Swiching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.78 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 11S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 720V) Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V

Otros transistores... 2SK4112 , 2SK4113 , 2SK4114 , TJ120F06J3 , TK07H90A , TK09H90A , TK100F04K3L , TK12D60U , NCEP15T14 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK15J60T , TK16H60C , TK17A25D , TK19H50C , TK20A20D .

History: FQD6N25 | PSMN3R0-30MLC

 

 
Back to Top

 


 
.