TK15H50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK15H50C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de TK15H50C MOSFET
TK15H50C Datasheet (PDF)
tk15h50c.pdf

TK15H50C TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (-MOS VI) TK15H50C Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0. 33 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 8.5 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, I45D = 1
Otros transistores... TJ120F06J3 , TK07H90A , TK09H90A , TK100F04K3L , TK12D60U , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , 20N50 , TK15J60T , TK16H60C , TK17A25D , TK19H50C , TK20A20D , TK20A60T , TK20D60T , TK20D60U .
History: AOD208 | C2M090W035 | PHD78NQ03L | AOC3860 | SMT12N60 | HX2302 | AP3P9R0M
History: AOD208 | C2M090W035 | PHD78NQ03L | AOC3860 | SMT12N60 | HX2302 | AP3P9R0M



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194