TK15H50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK15H50C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de TK15H50C MOSFET
TK15H50C Datasheet (PDF)
tk15h50c.pdf
TK15H50C TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (-MOS VI) TK15H50C Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0. 33 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 8.5 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, I45D = 1
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Liste
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