TK15J60T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK15J60T
Código: K15J60U
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 170 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 21 nC
Tiempo de elevación (tr): 37 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2300 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.3 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK15J60T
TK15J60T Datasheet (PDF)
7.1. tk15j60u.pdf 
Size:185K _toshiba
TK15J60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK15J60U Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.24 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 3.0 to 5.0 V
9.1. tk15j50d.pdf Size:184K _toshiba
TK15J50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK15J50D Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.33 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 8.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V
Otros transistores... TK07H90A , TK09H90A , TK100F04K3L , TK12D60U , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , 2SK170 , TK16H60C , TK17A25D , TK19H50C , TK20A20D , TK20A60T , TK20D60T , TK20D60U , TK20H50C .
