TK15J60T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK15J60T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO3P

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TK15J60T datasheet

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TK15J60T

TK15J60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK15J60U Switching Regulator Applications Unit mm 15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.24 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode Vth = 3.0 to 5.0 V

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TK15J60T

TK15J50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK15J50D Switching Regulator Applications Unit mm 15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.33 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode Vth = 2.0 to 4.0 V

Otros transistores... TK07H90A, TK09H90A, TK100F04K3L, TK12D60U, TK13H90A1, TK150F04K3L, TK15D60U, TK15H50C, STP80NF70, TK16H60C, TK17A25D, TK19H50C, TK20A20D, TK20A60T, TK20D60T, TK20D60U, TK20H50C