TK15J60T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK15J60T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de TK15J60T MOSFET
Principales características: TK15J60T
tk15j60u.pdf
TK15J60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK15J60U Switching Regulator Applications Unit mm 15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.24 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode Vth = 3.0 to 5.0 V
tk15j50d.pdf
TK15J50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK15J50D Switching Regulator Applications Unit mm 15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.33 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode Vth = 2.0 to 4.0 V
Otros transistores... TK07H90A , TK09H90A , TK100F04K3L , TK12D60U , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK10A60D , TK16H60C , TK17A25D , TK19H50C , TK20A20D , TK20A60T , TK20D60T , TK20D60U , TK20H50C .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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