TK15J60T. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TK15J60T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2300 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для TK15J60T
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TK15J60T даташит
tk15j60u.pdf
TK15J60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK15J60U Switching Regulator Applications Unit mm 15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.24 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode Vth = 3.0 to 5.0 V
tk15j50d.pdf
TK15J50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK15J50D Switching Regulator Applications Unit mm 15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.33 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode Vth = 2.0 to 4.0 V
Другие MOSFET... TK07H90A , TK09H90A , TK100F04K3L , TK12D60U , TK13H90A1 , TK150F04K3L , TK15D60U , TK15H50C , TK10A60D , TK16H60C , TK17A25D , TK19H50C , TK20A20D , TK20A60T , TK20D60T , TK20D60U , TK20H50C .
History: 2SK1057
History: 2SK1057
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor


