TK70D06J1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK70D06J1
   Código: K70D06J
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 87 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0064 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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TK70D06J1 Datasheet (PDF)

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tk70d06j1.pdf

TK70D06J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS) TK70D06J1 Switching Regulator Application Unit: mm High-Speed switching Small gate charge: Q = 87nC (typ.) g Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 5.1 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 80S Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS =

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Liste

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