Справочник MOSFET. TK70D06J1

 

TK70D06J1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK70D06J1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TK70D06J1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK70D06J1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  toshiba
 tk70d06j1.pdf pdf_icon

TK70D06J1

TK70D06J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS) TK70D06J1 Switching Regulator Application Unit: mm High-Speed switching Small gate charge: Q = 87nC (typ.) g Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 5.1 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 80S Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS =

Другие MOSFET... TK40D10J1 , TK40E10N1 , TK50F15J1 , TK55D10J1 , TK60D08J1 , TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , K2611 , TK70J06K3 , TK75J04K3Z , TK80D08K3 , TK8B50D , TK9A20DA , TPC6001 , TPC6003 , TPC6004 .

History: IRFS3806PBF | IPL65R650C6S | B4N65 | STB15NK50ZT4 | GWM13S65YRY | NCE2004Y | MTDN8810T8

 

 
Back to Top

 


 
.