TK70D06J1 - описание и поиск аналогов

 

TK70D06J1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK70D06J1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TK70D06J1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK70D06J1 даташит

 ..1. Size:217K  toshiba
 tk70d06j1.pdf pdf_icon

TK70D06J1

TK70D06J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS ) TK70D06J1 Switching Regulator Application Unit mm High-Speed switching Small gate charge Q = 87nC (typ.) g Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 5.1 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 80S Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS =

Другие MOSFET... TK40D10J1 , TK40E10N1 , TK50F15J1 , TK55D10J1 , TK60D08J1 , TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , 8N60 , TK70J06K3 , TK75J04K3Z , TK80D08K3 , TK8B50D , TK9A20DA , TPC6001 , TPC6003 , TPC6004 .

History: 2SK1638 | DMP4013LFG | SMG2319P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.