TPC8303 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPC8303
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Encapsulados: SOP8
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TPC8303 datasheet
tpc8303.pdf
TPC8303 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) TPC8303 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Portable Equipment Applications Notebook PCs Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 27 m (typ.) High forward transfer admittance Y = 7 S (typ.) fs Low leakage current I = -10 A (max) (V = -30 V) DSS DS Enhancement-mode Vt
tpc8301.pdf
TPC8301 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2- -MOSVI) TPC8301 Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Unit mm Notebook PCs Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance R = 95 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 4 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = -
tpc8302.pdf
TPC8302 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L - -MOSVI) TPC8302 Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Unit mm Notebook PCs 2.5 V Gate drive Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance R = 100 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Yfs = 5 S (typ.) Low leakag
Otros transistores... TPC8211 , TPC8212-H , TPC8213-H , TPC8214-H , TPC8216-H , TPC8218-H , TPC8301 , TPC8302 , AO4407 , TPC8401 , TPC8404 , TPC8405 , TPC8406-H , TPC8A01 , TPC8A02-H , TPC8A07-H , TPCA8003-H .
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