TPC8303 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TPC8303
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
trⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: SOP8
TPC8303 Datasheet (PDF)
tpc8303.pdf
TPC8303 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) TPC8303 Lithium Ion Battery Applications Unit: mmPortable Equipment Applications Notebook PCs Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 27 m (typ.) High forward transfer admittance : |Y | = 7 S (typ.) fs Low leakage current : I = -10 A (max) (V = -30 V) DSS DS Enhancement-mode : Vt
tpc8301.pdf
TPC8301 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2--MOSVI) TPC8301 Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Unit: mmNotebook PCs Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance : R = 95 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -
tpc8302.pdf
TPC8302 2TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L --MOSVI) TPC8302 Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Unit: mmNotebook PCs 2.5 V Gate drive Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance: R = 100 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance: |Yfs| = 5 S (typ.) Low leakag
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
