BUK9120-48TC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BUK9120-48TC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 116 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 48 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT426

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUK9120-48TC

BUK9120-48TC Datasheet (PDF)

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buk9120-48tc 3.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK9120-48TC Voltage clamped logic level FETwith temperature sensing diodesGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAProtected N-channel enhancement SYMBOL PARAMETER MIN. TYP. MAX. UNITmode logic level field-effect powertransistor in a plastic envelope V(CL)DSR Drain-source clamp voltage 40 45 55 Vsuitable for surfa

9.1. Size:376K philips
buk9107-55ate buk9907-55ate.pdf

BUK91/9907-55ATETrenchPLUS logic level FETRev. 01 7 February 2002 Product data1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology, featuring very low on state resistance and TrenchPLUSdiodes for clamping, ElectroStatic Discharge (ESD) protection and temperaturesensing.Product availability:BUK9107-55ATE in

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Liste

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