TPCT4202 Todos los transistores

 

TPCT4202 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPCT4202

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: STP

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TPCT4202 datasheet

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TPCT4202

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TPCT4202

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TPCT4202

TPCT4203 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS ) TPCT4203 Lithium-Ion Battery Applications (1Cell) Unit mm Lead(Pb)-Free 3.8 0.1 Small footprint due to a small and thin package Low source-source ON-resistance RSS (ON) = 25.5 m (typ.) 1 4 0.375 High forward transfer admittance Yfs = 18 S (typ.) 0.375 Low leakage current ISSS = 10

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TPCT4202

TPCT4204 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) TPCT4204 TENTATIVE Lithium Ion Secondary Battery Applications Unit mm Lead(Pb)-Free 3.8 0.1 Small footprint due to small and thin package 1 Low source-source ON resistance R = (22)m (typ.) SS (ON) 4 0.45 2.0 0.1 High forward transfer admittance Yfs = (25) S (typ.

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History: TPCT4201 | FTW20N50A | NTD4963N | SSM3J356R | HY1506B | AP85T03GJ-HF | IXFM67N10

 

 

 

 

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