TPCT4203 Todos los transistores

 

TPCT4203 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPCT4203

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.47 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: STP

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TPCT4203 datasheet

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TPCT4203

TPCT4203 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS ) TPCT4203 Lithium-Ion Battery Applications (1Cell) Unit mm Lead(Pb)-Free 3.8 0.1 Small footprint due to a small and thin package Low source-source ON-resistance RSS (ON) = 25.5 m (typ.) 1 4 0.375 High forward transfer admittance Yfs = 18 S (typ.) 0.375 Low leakage current ISSS = 10

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TPCT4203

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TPCT4203

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TPCT4203

TPCT4204 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) TPCT4204 TENTATIVE Lithium Ion Secondary Battery Applications Unit mm Lead(Pb)-Free 3.8 0.1 Small footprint due to small and thin package 1 Low source-source ON resistance R = (22)m (typ.) SS (ON) 4 0.45 2.0 0.1 High forward transfer admittance Yfs = (25) S (typ.

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