SSM3K04FU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM3K04FU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
   Paquete / Cubierta: USM

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM3K04FU

SSM3K04FU Datasheet (PDF)

..1. Size:616K toshiba
ssm3k04fu.pdf

SSM3K04FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K04FU High Speed Switch Applications Unit: mm With built-in gate-source resistor: RGS = 1 M (typ.) 2.5 V gate drive Low gate threshold voltage: Vth = 0.7~1.3 V Small package www.DataSheet4U.comAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-source vol

6.1. Size:582K toshiba
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SSM3K04FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K04FE High Speed Switching Applications Unit: mm With built-in gate-source resistor: RGS = 1 M (typ.) 2.5 V gate drive Low gate threshold voltage: Vth = 0.7~1.3 V Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS 20 VGat

6.2. Size:559K toshiba
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SSM3K04FV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K04FV High Speed Switching Applications Unit: mm1.20.05 With built-in gate-source resistor: RGS = 1 M (typ.) 0.80.05 2.5 V gate drive High input impedance Low gate threshold voltage: Vth = 0.7~1.3 V 1 Optimum for high-density mounting in small packages www.DataSheet4U.com

6.3. Size:238K toshiba
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