2SK879 Todos los transistores

 

2SK879 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK879

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.0065 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 850 Ohm

Encapsulados: USM SC70

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2SK879 datasheet

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2SK879

2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit mm High breakdown voltage VGDS = -50 V High input impedance IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k , f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =

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2SK879

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History: STK630F | PMF250XN | STD24N06LT4G | SI2301BDS | 2SK544 | SM4309PSKP | MDV5524URH

 

 

 

 

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