2SK879 Todos los transistores

 

2SK879 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK879
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.0065 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 850 Ohm
   Paquete / Cubierta: USM SC70
 

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2SK879 Datasheet (PDF)

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2SK879

2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit: mm High breakdown voltage: VGDS = -50 V High input impedance: IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k, f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =

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History: S70N08ZS | JCS7N120WA | MSF4N60 | BLS7G3135L-350P | 4803 | AP3P050M | SL2328A

 

 
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