2SK879 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK879
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.0065 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 850 Ohm
Paquete / Cubierta: USM SC70
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2SK879 Datasheet (PDF)
2sk879.pdf
2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit: mm High breakdown voltage: VGDS = -50 V High input impedance: IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k, f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =
Otros transistores... 2SK3857MFV , 2SK3857TK , 2SK3857TV , 2SK4059CT , 2SK4059MFV , 2SK4059TK , 2SK4059TV , 2SK711 , IRFZ44 , 2SK880Y , TTK101MFV , TTK101TK , 2SJ181L , 2SJ181S , 2SJ186 , 2SJ216 , 2SJ217 .
History: TP0101TS-T1 | BRFL8N65
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Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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