2SK880Y MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK880Y
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.003 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 250 Ohm
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2SK880Y datasheet
2sk880.pdf
2SK880 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK880 Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications Unit mm High Yfs Yfs = 15 mS (typ.) at VDS = 10 V, VGS = 0 High breakdown voltage VGDS = -50 V Low noise NF = 1.0dB (typ.) at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 kHz, RG = 1 k High input impedance IGSS = -1 nA (max) at VGS = -30 V
2sk882.pdf
2SK882 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK882 FM Tuner, VHF RF Amplifier Applications Unit mm Low reverse transfer capacitance Crss = 0.025 pF (typ.) Low noise figure NF = 1.7dB (typ.) High power gain G = 28dB (typ.) ps Recommend operation voltage 5 15 V Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit
2sk888.pdf
( DataSheet www.DataSheet4U.com ) www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com
Otros transistores... 2SK3857TK , 2SK3857TV , 2SK4059CT , 2SK4059MFV , 2SK4059TK , 2SK4059TV , 2SK711 , 2SK879 , IRF1404 , TTK101MFV , TTK101TK , 2SJ181L , 2SJ181S , 2SJ186 , 2SJ216 , 2SJ217 , 2SJ221 .
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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